硼化砷概念？

一、硼化砷概念？

砷As，硼B，砷化硼为BAs，2018年科学家首次实验合成了一种新的化合物单晶体——砷化硼（BAs），其无缺陷晶体的热传导极限达到1300 W/mK，超出所有常见的金属和半导体，砷化硼是近期受到广泛关注一种III-V半导体材料。研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。然而，从光电器件应用考虑，不论作为功能薄膜还是衬底，砷化硼都必须与其他半导体材料形成异质结，因此考察其异质结相关特性十分重要。

二、砷化硼熔点？

熔点约2300°C，沸点3658°C，密度2.34克/厘米³，硬度仅次于金刚石，较脆。

砷化硼是ⅲ‑ⅴ族半导体化合物，其晶体材料具有超高的导热系数，高于所有的常见金属和半导体，是碳化硅的三倍，仅次于钻石。

相对于价格昂贵、不能批量生产且应用条件苛刻的钻石来说，砷化硼不仅导热性好，还与硅材料的兼容性好，并有批量生产的可行性。有望成为下一代的半导体降温散热材料

三、砷化硼是什么？

砷化硼是一种半导体材料。

研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。然而，从光电器件应用考虑，不论作为功能薄膜还是衬底，砷化硼都必须与其他半导体材料形成异质结，因此考察其异质结相关特性十分重要。

四、砷化硼的用处？

砷化硼的为电子和空穴提供很高的迁移率，并具有良好的导热性能。研究人员说，它可能是迄今为止发现的最好的半导体材料。

立方砷化硼的导热系数几乎是硅的10倍。这对于散热来说非常有吸引力。研究还证明，这种材料具有非常好的带隙，这一特性使其作为半导体材料具有巨大潜力。

新研究表明，砷化硼具有理想半导体所需的所有主要品质，因为它具有电子和空穴的高迁移率。研究人员指出，这一点很重要，因为在半导体中，正电荷和负电荷是相等的。因此，如果要制造一种设备，就希望有一种电子和空穴的移动阻力更小的材料。

五、砷化硼化学式？

BAs为砷化硼的化学式。

砷As，硼B，砷化硼为BAs，2018年科学家首次实验合成了一种新的化合物单晶体——砷化硼（BAs），其无缺陷晶体的热传导极限达到1300 W/mK，超出所有常见的金属和半导体，砷化硼是近期受到广泛关注一种III-V半导体材料。研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。

六、砷化硼合成方法？

一般采用气固合成技术来合成砷化硼，即用单质b和单质砷为原料，在高温、真空等条件下合成bas。由于b具有2300℃的高熔点；as具有高的蒸气压，800℃时的饱和蒸气压达30多个大气压；bas在高温下易分解为副产物，使得bas晶体制备相当困难。据报道，目前国外制备的bas晶体最大规格仅为10mm的样品。

七、砷化硼是什么矿物？

一种具有极高导热性的半导体材料砷化硼

 美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校和德克萨斯大学达拉斯分校的研究人员合作优化了化合物半导体砷化硼（BA）的晶体生长过程，砷化硼材料具有优异的热性能并能有效地散发出电子设备产生的热量。该研究结果发表2018年7月5日的美国《科学》杂志上，标志着先前预测的一类超高导热率材料的首次实现。

八、立方砷化硼有毒吧？

立方砷化硼是一种很好半导体材料，它既能为电子和空穴提供高迁移率，又有优良的电导率，而且还具有极高的导热特性。

该材料有一个非常好的带隙，这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力，众所周知，已经成熟应用于汽车企业领域，所以立方砷化硼是无毒的。

九、砷化硼是什么材料？

砷化硼是近期受到广泛关注一种III-V半导体材料。研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。然而，从光电器件应用考虑，不论作为功能薄膜还是衬底，砷化硼都必须与其他半导体材料形成异质结，因此考察其异质结相关特性十分重要。

十、砷化硼物理性质？

砷化硼的导热系数几乎是硅的10倍，而且还具有非常好的带隙，这一特性使其作为半导体材料具有巨大潜力。

　砷化硼具有理想半导体所需的所有主要品质，克服了硅作为半导体的两个限制：为电子和空穴提供很高的迁移率，并具有良好的导热性能。是迄今为止发现的最好的半导体材料。