10nm到5nm手机芯片用了几年？

一、10nm到5nm手机芯片用了几年？

从10纳米到5纳米的手机芯片技术升级通常需要几年的时间。这个过程涉及到研发、测试、生产和商业化等多个阶段。

首先，芯片制造商需要投入大量资源进行研发和设计，以确保新一代芯片在性能和功耗方面的提升。

然后，他们会进行严格的测试和验证，以确保芯片的稳定性和可靠性。

接下来，制造商需要调整生产线和工艺，以适应新一代芯片的制造要求。

最后，芯片会进入商业化阶段，供应给手机制造商使用。整个过程通常需要几年的时间，以确保新一代芯片的成功推出和广泛应用。

二、10nm到5nm手机芯片发展史？

手机芯片的发展史从10纳米（nm）到5纳米（nm）经历了巨大的进步。10nm芯片在2017年首次推出，提供更高的性能和更低的功耗。随后，7nm芯片进一步提升了性能和功耗效率。而到了2020年，5nm芯片问世，进一步提升了性能和功耗效率，同时还增加了更多的晶体管密度。这使得手机处理器能够更快地运行应用程序，同时延长了电池寿命。

未来，随着技术的不断进步，我们可以期待更小、更强大的芯片问世，为手机带来更出色的性能和功能。

三、为何现在的手机芯片已经进入7nm时代，而pc芯片却大多还在10nm甚至14nm上？

如果你想要看一句话答案，那就是：台积电和三星的 7nm 标注是注水的，和 Intel 的 10nm 是同一代技术。如果你想要知道为什么，还请继续往下看。

如果大家有兴趣，我还可以聊聊 Intel 10nm 的现状，以及为什么现在台式机 Intel 不用 10nm 造，还有就是未来几年 CPU 发展的展望。

什么是芯片的制程？

在当代生活里，芯片无处不在，这些或大或小的芯片操控着我们工业生活的方方面面。

不同的芯片对于制造工艺有着不同的需求，有些芯片功耗比较低，对性能的需求也低，有的芯片则更需要高性能，而不太介意功耗大一点。

用于制造芯片的半导体工艺可以用三大指标来评价，这三大指标分别是“密度”，“功耗”以及“性能”。

其中，在传统上，我们一般把密度作为衡量半导体制造技术的标准，制造工艺越先进，就能造更小的晶体管，同样面积的集成电路里就能够集成更多的晶体管。

为什么晶体管尺寸这么重要呢？因为晶体管尺寸的缩小理论上也能同步带动功耗控制和性能的提升。晶体管的尺寸越小，速度就越快，因此整块芯片的性能也会越高，同时，单个晶体管功耗也会降低。

在历史上的很长一段时间里，先进工艺可以同时提供密度，功耗，和性能的提升。

在那段美好的时光里，制程工艺是根据芯片的栅极长度命名，某一个制造工艺的节点（Node）就能制造对应长度的栅极长度（Gate Length）和半间距（Half-Pitch）的芯片。比如说 350nm 的制程，制造出来的 Half Pitch 和 Gate Length 都是 350nm。

不过，我们生活的世界并不理想，这种美好的时代在 1997 年就结束了。

但是自从 1997 年开始，制造工艺的节点（Node）就开始与栅极长度（Gate Length）和半间距（Half-Pitch）不相匹配了。

比如说 1997 年引入的 250nm 技术，其 Half Pitch 是 250nm 但是 Gate Length 缩短到了 200nm，类似的，后期发展的技术更加放飞自我，比如 2009 年的 32nm 技术，其 Half Pitch 为 52nm，Gate Length 为 29nm。

1997 年后，节点（Node）的命名已经和 Half Pitch/Gate Length 脱钩。

密度，功耗，性能与制程进步脱钩

半导体行业一般把密度提升一倍作为一代工艺的衡量标准，为了在同样的面积里塞入两倍的晶体管，这就意味着晶体管的面积应该缩小到原来的一半，换言之，晶体管的一边应该缩小到原来的 0.7x。这也就是为什么半导体工艺的正代工艺是从 130nm，90nm，65nm，45nm，32nm，22nm 这样子演进。

尽管 1997 年后，节点命名与栅极长度/半间距脱勾了，但是总体来说代数的命名还是和技术的发展成正相关的，新工艺不仅能带来密度提升，性能和功耗也能同步上去。

但这样的好日子也不长，大概在 2004-2005 年的时候，也就是 90nm 向 65nm 迈进的时候，我们发现，密度的提升已经不足以带来功耗和性能的进步，反而会因为漏电导致副作用。

所以，新的工艺不仅要提升密度，还需要引入额外的技术来减轻这些副作用。

FinFET 时代，注水命名开始

总体来说，直到 22nm 为止，虽然节点的命名和 Half Pitch/Gate Length 已经彻底无关，但大家在命名上还是相对克制，只要实现了对应的技术提升，命名上还是根据等效的代数来命名。

但我们也说到，为了抑制密度提高带来的副作用，厂商们需要引入额外的技术来改善，这就导致同一个密度的工艺下会有好几个子代的技术。

比如说在 28nm 这个节点上，台积电就有 28LP（SION 面向低成本），和 28HPL（HKMG 低漏电），28HP（HKMG 高性能），28HPM（HKMG 面向移动优化的高性能）好几个版本的技术，这些技术虽然都属于 28nm 制造节点，但其面向的市场和性能、功耗表现是完全不同的。

那市场营销部门就很头痛了啊，这些东西都叫 28nm，指望消费者去理解这么多子类也不现实，所以就要祭出命名大法，做一个很厉害的名字出来。

在 25nm 以下的节点，传统的平面场效应管已经无法继续缩小尺寸，为了继续提升，我们需要把场效应管立体化，这就是 FinFET（鳍片式场效应晶体管）技术。这个技术也是前段时间中科院微电子研究所向 Intel 提出部分专利侵权诉讼的相关技术。

为了体现 FinFET 技术为芯片制造带来的巨大好处，三星命名了 14nm FinFET，尽管从密度上来看，它应该被叫做 20nm FinFET，类似地，台积电也将自己本该属于 20nm FinFET 的技术注水命名为 16nm FinFET。

Intel 在 22nm 后本来发展的是 16nm 工艺，但是因为密度提升幅度超过了一代，所以没有注水，命名为 14nm，然后又在 14nm 里面继续改良发展了 14nm+，14nm++，14nm+++。

此后，代工厂三星和台积电又继续发展了新的技术，也就是我们现在看到的 7nm，而 Intel 对应的下一代制程就是 10nm。这几个是属于同一代技术。

到了 7nm，注水大法再次现身江湖，三星那边把本质上属于 7nm 的几个小改工艺改名叫 5nm，也就是说对于三星 7nm/6nm/5nm/4nm 本质都适合台积电 7nm，Intel 10nm 同代的技术。

类似地，三星 3nm，台积电 5nm，Intel 7nm 也是同一代的技术。

四、10nm有多大？

10纳米等于10^-6厘米。

1纳米=10^-9米，1cm（厘米）=0.01m（米），所以1纳米=10^-7厘米，所以10纳米=10^-6厘米。

纳米（nm），又称毫微米，是长度的度量单位，国际单位制符号为nm。1纳米=10^-9米。

厘米是一个长度计量单位，等于一米的百分之一。

有关厘米的单位转换：1厘米=10毫米=10000微米=10000000纳米=0.1分米=0.01米=0.00001千米（附：俗称公分。）

长度单位是指丈量空间距离上的基本单元，是人类为了规范长度而制定的基本单位。其国际单位是“米”（符号“m”），常用单位有毫米（mm）、厘米（cm）、分米（dm）、千米（km）、米（m）、微米（μm）、纳米（nm）等等。长度单位在各个领域都有重要的作用。

五、10nm芯片排名？

10nm芯片的排名因制造商和具体产品而异。目前，市场上领先的芯片制造商如高通、三星和华为等，都已经开始研发和生产10nm及以下的芯片。其中，高通的骁龙835和三星的Exynos 8895是较为知名的10nm芯片。此外，台湾移动芯片制造商联发科也发布了全球首款10nm工艺处理器Helio X30。这款处理器采用了三从集架构，由主频为2.8GHz的双核心Cortex-A73、主频为2.3GHz的四核心Cortex-A53，以及主频为2.0GHz四核心Cortex-A35组合而成。需要注意的是，芯片的排名不仅仅取决于制程工艺，还包括其他因素如性能、功耗、稳定性等。因此，具体的排名可能会因不同的评价标准而有所差异。

六、10nm芯片精度？

10nm芯片是指采用10nm制程的一种芯片。1995年起，芯片制造工艺从0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm，发展到90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、14nm，再到即将到来的10nm，芯片的制程工艺不断发展，集成度不断提高，这一趋势还将持续下去。

七、10nm盐酸怎么配？

分析纯盐酸浓度36--38%,密度为1.19g/ml,若配制100ml溶液，配制而方法为:10%*100=V*1.19*mb式中:V--分析纯浓盐酸的体积     mb--分析纯浓盐酸的浓度以此计算出，配制此10nm盐酸溶液:

用100ml的容量瓶，取精密量取23ml分析纯盐酸.加纯净水，使之定容至100ml容量瓶中即为10%的溶液。

八、10nm芯片谁能造？

1. 目前，只有少数几家大型半导体公司具备造10nm芯片的能力。2. 造10nm芯片需要先进的制程技术和设备，以及大量的研发投入。只有少数几家公司拥有足够的资源和技术实力来进行这样的研发和生产。3. 值得一提的是，像Intel、TSMC、三星等大型半导体公司都在积极研发和生产10nm芯片，它们具备先进的制程技术和丰富的经验，有望成为造10nm芯片的领导者。4. 此外，还有一些新兴的半导体公司也在不断努力，希望能够在10nm芯片领域取得突破，但目前它们的实力相对较弱，还需要更多时间和资源的积累。5. 总的来说，造10nm芯片需要强大的技术实力和资源支持，目前只有少数几家大型半导体公司具备这样的条件。但随着技术的不断进步和竞争的加剧，未来可能会有更多的公司能够造出10nm芯片。

九、10nm扭矩有多大？

1Nm约等于0.1公斤力。

10Nm约等于1公斤力

扭矩（Nm）:扭矩是使物体发生转动的力，活塞在汽缸里往复运动，往复一次做有一定的功，在每个单位距离所做的功就是扭矩。发动机的扭矩就是指发动机从曲轴端输出的力矩。在功率固定的条件下它与发动机转速成反比关系，转速越快扭矩越小，反之越大，它反映了汽车在一定范围内的负载能力。

物理原理：扭矩和功率一样，是汽车发动机的主要指数之一，它反映在汽车性能上，包括加速度、爬坡能力等。它的准确定义是：活塞在汽缸里的往复运动，往复一次就会做一定的功，它的国际标准单位是焦耳（J）。在每个单位距离所做的功就是扭矩了。通俗点讲，扭矩是衡量一个汽车发动机好坏的重要标准，一辆车扭矩的大小与发动机的功率成正比。基本公式：功率P=功W÷时间t功W=力F×距离s所以，P=F×s/t=F×速度v驱动理论：将扭矩除以车轮半径即可由引擎马力－扭力输出曲线图可发现，在每一个转速下都有一个相对的扭矩数值，这些数值要如何转换成实际推动汽车的力量呢？答案很简单，就是除以一个长度，便可获得力的数据。

举例而言，一部1.6升的引擎大约可发挥15.0kgm的最大扭力，此时若直接连上185/60R14尺寸的轮胎，半径约为41公分，则经由车轮所发挥的推进力量为15/0.41=36.6kg的力量(事实上千克并不是力量的单位，而是重量的单位，须乘以重力加速度9.8m/s才是力的标准单位是牛顿)。

十、10nm芯片有多大？

10nm芯片约为：58.63平方毫米

有趣的是封装，10nm++工艺的处理器芯片与14nm工艺的PCH芯片组整合封装在一起，总面积35×24毫米，但二者之间走的不是DMI总线，而是低速的GPIO。

简单测量可知，这颗10nm++处理器的面积大概是9.169×6.394＝58.63平方毫米。

暂不清楚Intel是否会将这些产品带到消费级市场上。