耗散功率的意义？

一、耗散功率的意义？

耗散功率就是某一时刻电网元件或全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。

耗散功率，也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C，锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去

二、什么是最大耗散功率？

耗散功率就是某一时刻电网元件或全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。耗散功率，也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C，锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去。

三、功率放大电路的耗散功率公式？

功率放大电路的耗散功率主要是三极管消耗功率，双极型BJT三极管构成的放大电路耗散功率为集电极电流乘以集射极之间电压即Pc＝iC*vCE，单极型MOS管构成的放大电路耗散功率为漏极电流乘以漏源极间电压即Pd＝iD*vDS。

四、耗散功率指的　是什么？

kW是有功功率的量纲，kVA是视在功率的量纲。直流中：电流乘以电压为有功功率，没有视在功率的说法.交流中：电压点乘电流为有功功率，量纲为W；电压叉乘电流为无功功率，量纲为var；电压有效值乘以电流有效值为视在功率，量纲为VA。有功功率最终转化为各种能量耗散掉，如机械能、热能；而无功功率是在电感和电容中相互交换，理想情况下本身不会被消耗。

五、耗散功率与功耗的关系？

功耗=输入功率-输出功率；指整机所需电源功率时，功耗=输入功率。也就是说，指耗损时，功耗为整个设备消耗的功率减去设备输出功率。指消耗时就是整机消耗的功率。它的单位还是瓦特，不是能的单位。

耗散功率就是某一时刻电网元件或全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。

六、耗散功率有什么含义，如何计算？

三极管耗散功率也称集[1] 电极最大允许耗散功率PCM，是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C，锗管的结温允许值为85°C左右。

要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去.晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

七、谁知道什么是耗散功率呢？

耗散功率就是某一时刻电网元件或全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。耗散功率，也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C，锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去。

八、MOS管耗散功率大好还是小好？

我认为这个值越大，说明这个MOS管能够承受的发热损耗功率更大，也就是更耐热，更耐热也就是意味着更不容易损坏。

九、耗散定律？

耗散结构 关于“耗散结构”的理论是物理学中非平衡统计的一 个重要新分支，是由比利时科学家伊里亚·普里戈津于20世纪70年代提出的，由 于这一成就，普里戈津获1977年诺贝尔化学奖。差不多是同一时间，西德物理学家赫尔曼·哈肯 (H．Haken)提出了从说明研究对象到方法都与耗散结构相似的“协同学”(Syneraetics)，哈肯于 1981年获美国富兰克林研究院迈克尔逊奖。现在耗散结构理论和协同学通常被并称为自组织理论。

十、mos管的最大耗散功率是指什么？

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c)MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法，就比如我们平时说高个子可能是1.7，1.8，也可能是1.9；那矮个子可能是1.4，1.5，也可能是1.7，1.8，对于高度为2.0的人来说。一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.