我国3nm芯片量产了吗？

一、我国3nm芯片量产了吗？

没有EUV光刻机怎么可能量产？不过封装技术可以达到3纳米。

二、3nm芯片什么时候上市？

预计今年7月首批上市。

三星第一批3nmGAA芯片将用于加密货币挖矿，客户是一家中国矿机芯片公司。矿机芯片不同于智能手机芯片，要求比较低，而且该批芯片规模不大，只能算试水。至于智能手机芯片组何时上市目前尚未克制，以三星官方消息是定于2023年上市。

三、3nm芯片技术成熟了吗？

成熟。

在芯片领域，EDA、设计、封测的3nm已经成熟，其位于全球领先位置。同时，芯片仍然存在制造方面的瓶颈，国产光刻机与国际巨头相差甚远。追赶的这一过程或许漫长和困难。

四、高通3nm芯片手机什么时候上市？

2023年下半年。

台积电3纳米制程采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构，能够提最成熟技术、高效能与最佳成本。台积电表示当前技术研发已经完成，主要应用在高效能运算(HPC)以及5G智慧型手机装置上，3纳米首波主要合作客户除了苹果和英特尔外，后续超微、联发科、辉达、高通等也计划随后跟上。

台积电法说会也额外揭露，3纳米(N3)将在2022下半年量产后，隔年会推出延伸产品「3纳米加强版」 (N3e)，量产时程预估会在2023年下半年。

五、3nm芯片，参数？

三星3nm芯片，采用的是GAA工艺，这是一颗3nm的 SRAM芯片。容量达到了256GB，但面积只有56平方毫米。更重要的是写入电压只要0.23V，这对于芯片来讲，漏电现象将大大的改善，毕竟漏电已经是芯片功耗的最大杀手了，目前漏电所产生的功耗占了芯片功耗的50%以上，台积电曾经更是因为漏电都有一个“台漏电”的称号。3GAE可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。而台积电公布自己的3nm的FinEFT工艺，是管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。很明显三星的GAA晶体管技术更胜一筹。

六、3nm芯片多大？

IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，该技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。

七、a15芯片上市了吗？

a15芯片已经上市。

苹果的秋季发布会来了，推出了新一代的iPhone 13、Apple Watch Series 7、iPad和iPad mini等产品，

iPhone13搭载了最新的芯片，A15。

新的 A15 仿生处理器将为苹果的许多最新设备提供动力。它采用 5nm 技术，拥有 150 亿个晶体管，6 核 CPU，包括两个高性能内核和四个效率内核。还有一个 4 核 GPU，在 iPhone 13 Pro 和 Pro Max 上的GPU核心数达到了 5 核。A15 还拥有一个神经引擎，每秒可以执行 15.8 万亿次（15.8TOPS）操作。

八、oppo国产芯片上市了吗？

OPPO官方首次公开自研芯片计划——“马里亚纳”计划没有上市

九、3nm芯片有多大？

台积电表示将在5nm、3nm制程节点上逐步实现投产，毕竟其在7nm上的领先有目共睹，这也使得台积电在制程推进上更加激进。

近日，台积电终于披露了3nm工艺的细节。首先，在3nm节点上，晶体管密度将达到买平方毫米2.5亿个。这是什么概念呢？目前7nm EUV工艺的麒麟990 5G芯片尺寸为113.31平方毫米，晶体管密度为103亿，其每平方毫米晶体管密度为0.9亿，这也意味着3nm制程工艺的晶体管密度将是7nm的3.6倍。

性能方面，台积电5nm相对于7nm提升15%，能耗比提升30%；而3nm较5nm性能提升7%，能耗比提升15%。

此外，台积电表示3nm工艺研发符合预期，且并未受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。不过，3nm首发依然会是FinFET技术，因为台积电在评估多种技术之后认为FinFET工艺在成本及能效上表现更佳。

十、3nm芯片前景如何？

3nm芯片前景广阔。

3nm芯片的前景非常广阔，是目前全球最高制程的芯片工艺。目前能商业量产的芯片是4nm，其晶体管密度大约1.8亿只每平方毫米，而3nm芯片的晶体管密度能达到2.5亿只每平方毫米。对比4nm来说3nm的运算能力提升非常巨大。不过目前3nm芯片仅有国内一家矿机公司下了订单，像苹果这样的芯片巨头已经暂停了3nm项目。